RHEED（反射高能电子衍射仪）是观察晶体生长重要的实时监测工具之一。它可以通过非常小的掠射角将能量为10～30KeV的单能电子掠射到晶体表面，通过衍射斑点获得薄膜厚度，组分以及晶体生长机制等重要信息。 因此反射高能电子衍射仪已成为MBE、PLD等系统中监测薄膜表面形貌的一种标准化技术。
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| 30KeV电子枪（RDA-005G）电源（RDA-005P） | kSA400 12bit 88fps CCD（含控制电脑显示器） |
R-DEC公司生产的反射高能电子衍射仪，以便于操作者使用的人性化设计，稳定性和耐久性以及拥有高亮度的衍射斑点等特点，得到日本本土及其他国家各研究机构的好评。
30KeV 电子枪
| 型号 | RDA-005G |
| 电子束径 | φ90μm |
| 灯丝 | φ0.1mm 发夹式钨灯丝 |
| 控制电极 | 定量偏压 |
| 集束线圈 | 空心型电磁线圈 |
| 偏向线圈 | 环形电磁线圈 |
| 轴向校正 | 灯丝，控制电极 |
| 绝缘电压 | DC30KV |
| 工作压强范围 | < 10-4Pa～10-9Pa |
| 最大烘烤温度 | 200℃ |
| 连接法兰 | ICF70（外径φ2.75英寸） |
| 外形尺寸 | φ100 x 401mm （可加长100mm） |
30KeV 电子枪电源
| 型号 | RDA-005P |
| 加速电压 | 0～30KV 定电压电源（纹波值≤0.03%） |
| 电子束电流 | 0～160μA |
| 灯丝电源 | 0～2V定电压电源2Amax（纹波电压≤0.05%） |
| 灯丝电流 | Max. 2A |
| 偏向线圈电源 | ±1A定电流电源±1V（纹波电压≤0.05%） |
| 集束线圈电源 | ±0～1.5A定电流电源0～22V（纹波电压≤0.05%） |
| 输入电压 | 200V, 220V, 230V, 240V |
| 外形尺寸 | 480mm x 199mm x 500mm（可加长100mm） |
| 安全功能 | 安全闭锁装置 |
低电流反射式高能电子衍射仪是利用微通道板(MCP)技术实现的低电流型反射式高能电子衍射仪。能大幅减少对样品损伤的同时，拥有明亮的反射电子衍射图像。可以用于有机薄膜材料等结晶结构的分析研究。
PICO-RHEED 低电流型反射式高能电子衍射
除了具有RHEED功能外，还有如下特点：
kSA400 分析软件是专业的RHEED分析系统，适合各种反射高能电子衍射仪和薄膜沉积系统，目前第四代系统结合优质的硬件和功能强大的软件除了可以实时取得分析数据之外，还可实现实时晶格间距，原位应力，实时薄膜沉积速率以及薄膜厚度的解析。为用户提供广泛的RHEED分析信息。  |  |
RHEED可以广泛应用于MBE（分子束外延）, PLD（脉冲激光沉积）等其它需要实时监测材料生长状态的设备中。它将带有晶体表面信息的反射束呈现于接收荧光屏上，通过图像采集和解析软件，对收集到的信息进行分析，从而使用户获得薄膜厚度，组分以及晶体生长机制等重要信息。
